Научно-исследовательская лаборатория ...
Выработанные в процессе обучения компетенции позволили в 2017 году осуществить трансфер технологии роста SiC-кристаллов на технологическую базу НИЛ
Выработанные в процессе обучения компетенции позволили в 2017 году осуществить трансфер технологии роста SiC-кристаллов на технологическую базу НИЛ
производственной установки и базовой технологии выращивания полуизолирующих кристаллов карбида кремния 4H-SiC диаметром 100 мм, предназначенных для
Качественное выполнение финишных операций обработки пластин карбида кремния, создает возможность на последующих операциях (эпитаксия, окисление,
В статье представлен краткий обзор промышленных технологий и результатов научных исследований процессов получения карбида кремния. Исследования по
Крупнейшие сферы использования карбида кремния – это метал-лургия(около 45 % мирового спроса), производства абразивов(до 30 %) и огнеупоров(до 25 %).
и оборудования для косвенного нагрева газов и жидкостей. Наконечники горелок из карбида кремния являются удачным решением для газовых печей. В энергетике
2006年5月27日 В этой связи, целью настоящей работы является разработка технологических процессов и оборудования для газофазного осаждения
Разработка оборудования и технологии выращивания объемных монокристаллов карбида кремния для создания приборов силовой электроники (Совместная
В составе химического соединения примерно 70% кремния Si и около 30% углерода C. В чистом виде карборунд бесцветен, от наличия примесей зависит цвет и тип
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов ...
Карбид кремния или карборунд – сложное химическое соединение, состоящее из частиц углерода и кремния. В химии ему соответствует следующая формула: SiC.
Разработка оборудования и технологии выращивания объемных монокристаллов карбида кремния для создания приборов силовой электроники (Совместная разработка ИФТТ РАН и ФГУП ЭЗАН) .
2021年2月21日 На этот раз рассказываю про карбид кремния (SiC) и свои разработки и эксперименты с ним. Из статьи вы узнаете особенности применения карбид-кремниевых MOSFET-транзисторов и диодов, как выбрать элемент...
Установка для роста монокристаллов карбида кремния диаметром 4 или 6 дюймов. Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ...
2011年5月17日 Туктамышев, Ибрагим Шарифович. Разработка и промышленное опробование технологии производства карбида кремния на основе шунгитовой породы: дис. кандидат технических наук: 05.17.11 - Технология силикатных и
История открытия. Существование кремния было предсказано Йёнсом Якобом Берцелиусом в 1810 году. Позже, в 1823 году он выделил аморфный кремний путём восстановления фторида SiF 4 калием, подробно описал его химические ...
электронные фотографии налипов металла и кристаллов карбида кремния. Определены размеры этих объектов. В
МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ ... ОРИЕНТАЦИЙ специальность 05.27.06 – технология и оборудование для производства ... получения и обработки эпитаксиальных структур на основе карбида
1. Разработка оборудования и технологии выращивания объемных монокристаллов карбида кремния для создания приборов силовой электроники (Совместная разработка ИФТТ РАН и ФГУП ЭЗАН) .
2006年5月27日 Рекомендованный список диссертаций . Исследования и разработка технологии изготовления pin-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации 2004 год, кандидат технических наук Болесов, Игорь Анатольевич
возможность обработки лезвийным инструментом со скоростью резания 10–50 м/с материалов твердостью до 60–75 hrc; цветных сплавов; керамики (силицированного графита, карбида кремния и др ...
Выдающиеся динамические характеристики, высокая рабочая температура и сверхнизкие потери проводимости полупроводников из карбида кремния выводят развитие элементной базы для силовой электроники на новый этап.
2001年3月5日 Кузин, Валерий Викторович. Разработка режущих пластин из нитридной керамики для предварительной механической обработки деталей: дис. доктор технических наук: 05.03.01 - Технологии и оборудование механической и физико ...
Основной проект, реализуемый ООО «Керамические технологии»: «Создание опытно-промышленных пеналов из материалов на основе карбида кремния для захоронения ВАО и ОЯТ, обеспечивающих изоляцию геосферы от ...
2021年7月5日 Поскольку выращивание монокристаллов карбида кремния pam-xiamen строго соответствует отраслевым стандартам, а также используется современное оборудование и технологии, дефекты кристаллов sic низкие.
Предложен способ распознавания и анализа дефектной дислокационной структуры монокристаллов карбида кремния на основе применения оптической микроскопии и нейронной сети прямого распространения.
Сложно получать сверхчистые кристаллы SiC. Из-за высоких значений температуры и давления, при которых существует расплав карбида кремния, классические методы получения из него монокристаллов не применимы.
Развитие производства карбида кремния в ПАО «Светлана » от базовой технологии к вертикальной интеграции В статье описано развитие работ в ПАО «Светлана» по производству изделий
© Slidesigma - 2022 | All Right Reserved. Designed By Slidesigma